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Frequency (MHz) 16 Nonvolatile memory (kByte) 128 RAM (kByte) 2 ADC type 12-bit SAR Number of ADC channels 16 Number of GPIOs 83 Features AES, DMA, LCD, Real-time clock UART 2 USB No Number of I2Cs 2 SPI 4 Number of comparator channels 16 Timers - 16-bit 5 Bootloader (BSL) I2C Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog
Frequency (MHz) 16 Nonvolatile memory (kByte) 128 RAM (kByte) 2 ADC type 12-bit SAR Number of ADC channels 16 Number of GPIOs 83 Features AES, DMA, LCD, Real-time clock UART 2 USB No Number of I2Cs 2 SPI 4 Number of comparator channels 16 Timers - 16-bit 5 Bootloader (BSL) I2C Operating temperature range (°C) -40 to 85 Rating Catalog
LQFP (PN) 80 196 mm² 14 x 14 LQFP (PZ) 100 256 mm² 16 x 16
  • 嵌入式微控制器
    • 高达 16MHz 时钟频率的 16 位 RISC 架构
    • 3.6V 至 1.8V 的宽电源电压范围(最低电源电压受限于 SVS 电平,请参阅 SVS 规格)
  • 经优化的超低功耗模式
    • 工作模式:大约 100µA/MHz
    • 待机(具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3):0.4µA(典型值)
    • 实时时钟 (RTC) (LPM3.5):0.35µA(典型值) (1)
    • 关断 (LPM4.5):0.02µA(典型值)
  • 超低功耗铁电 RAM (FRAM)
    • 高达 128KB 的非易失性存储器
    • 超低功耗写入
    • 125ns 每个字的快速写入(4ms 内写入 64KB)
    • 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储
    • 1015 写入周期持久性
    • 抗辐射和非磁性
  • 智能数字外设
    • 32 位硬件乘法器 (MPY)
    • 三通道内部直接存储器存取 (DMA)
    • 带有日历和和报警功能的 RTC
    • 5 个 16 位计时器,每个计时器具有多达 7 个捕捉/比较寄存器
    • 16 位和 32 位循环冗余校验器(CRC16、CRC32)
  • 高性能模拟
    • 16 通道模拟比较器
    • 12 位模数转换器 (ADC),具有内部基准和采样保持以及多达 16 个外部输入通道
    • 具有高达 320 段对比度控制的集成 LCD 驱动器
  • 多功能输入/输出端口
    • 所有 P1 至 P10 以及 PJ 引脚均支持电容式触控功能,无需外部组件
    • 可每位、每字节和每字访问(成对访问)
    • 可通过 P1、P2、P3 和 P4 端口从 LPM 唤醒,边沿可选
    • 所有端口上可编程上拉和下拉
  • 代码安全性
    • 针对随机数生成算法的真随机种子
  • 增强型串行通信
    • eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持:
      • 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
      • IrDA 编码和解码
      • SPI
    • eUSCI_B0 和 eUSCI_B1 均支持:
      • 支持多从设备寻址的 I2C
      • SPI
    • 硬件 UART 和 I2C 引导加载程序 (BSL)
  • 灵活时钟系统
    • 具有 10 个可选厂家调整频率的定频数控振荡器 (DCO)
    • 低功率低频内部时钟源 (VLO)
    • 32kHz 晶振 (LFXT)
    • 高频晶振 (HFXT)
  • 开发工具和软件
    • 自由的专业开发环境 具有 EnergyTrace++™技术
    • 实验和开发套件
  • 系列产品成员
    • 器件比较 总结了器件型号和可用封装类型
  • 要获得完整的模块说明,请参见《MSP430FR58xx、MSP430FR59xx 和 MSP430FR6xx 系列用户指南》

(1)实时时钟 (RTC) 由 3.7pF 晶振计时。

  • 嵌入式微控制器
    • 高达 16MHz 时钟频率的 16 位 RISC 架构
    • 3.6V 至 1.8V 的宽电源电压范围(最低电源电压受限于 SVS 电平,请参阅 SVS 规格)
  • 经优化的超低功耗模式
    • 工作模式:大约 100µA/MHz
    • 待机(具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3):0.4µA(典型值)
    • 实时时钟 (RTC) (LPM3.5):0.35µA(典型值) (1)
    • 关断 (LPM4.5):0.02µA(典型值)
  • 超低功耗铁电 RAM (FRAM)
    • 高达 128KB 的非易失性存储器
    • 超低功耗写入
    • 125ns 每个字的快速写入(4ms 内写入 64KB)
    • 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储
    • 1015 写入周期持久性
    • 抗辐射和非磁性
  • 智能数字外设
    • 32 位硬件乘法器 (MPY)
    • 三通道内部直接存储器存取 (DMA)
    • 带有日历和和报警功能的 RTC
    • 5 个 16 位计时器,每个计时器具有多达 7 个捕捉/比较寄存器
    • 16 位和 32 位循环冗余校验器(CRC16、CRC32)
  • 高性能模拟
    • 16 通道模拟比较器
    • 12 位模数转换器 (ADC),具有内部基准和采样保持以及多达 16 个外部输入通道
    • 具有高达 320 段对比度控制的集成 LCD 驱动器
  • 多功能输入/输出端口
    • 所有 P1 至 P10 以及 PJ 引脚均支持电容式触控功能,无需外部组件
    • 可每位、每字节和每字访问(成对访问)
    • 可通过 P1、P2、P3 和 P4 端口从 LPM 唤醒,边沿可选
    • 所有端口上可编程上拉和下拉
  • 代码安全性
    • 针对随机数生成算法的真随机种子
  • 增强型串行通信
    • eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持:
      • 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
      • IrDA 编码和解码
      • SPI
    • eUSCI_B0 和 eUSCI_B1 均支持:
      • 支持多从设备寻址的 I2C
      • SPI
    • 硬件 UART 和 I2C 引导加载程序 (BSL)
  • 灵活时钟系统
    • 具有 10 个可选厂家调整频率的定频数控振荡器 (DCO)
    • 低功率低频内部时钟源 (VLO)
    • 32kHz 晶振 (LFXT)
    • 高频晶振 (HFXT)
  • 开发工具和软件
    • 自由的专业开发环境 具有 EnergyTrace++™技术
    • 实验和开发套件
  • 系列产品成员
    • 器件比较 总结了器件型号和可用封装类型
  • 要获得完整的模块说明,请参见《MSP430FR58xx、MSP430FR59xx 和 MSP430FR6xx 系列用户指南》

(1)实时时钟 (RTC) 由 3.7pF 晶振计时。

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起,从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。

MSP430 ULP FRAM 产品系列由多种采用 FRAM 、ULP 16 位 MSP430 CPU 的器件和智能外设组成,可适用于各种 应用。ULP 架构具有七种低功耗模式,这些模式都经过优化,可在能源受限的应用中实现较长的 电池寿命。

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起,从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。

MSP430 ULP FRAM 产品系列由多种采用 FRAM 、ULP 16 位 MSP430 CPU 的器件和智能外设组成,可适用于各种 应用。ULP 架构具有七种低功耗模式,这些模式都经过优化,可在能源受限的应用中实现较长的 电池寿命。

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设计和开发

请在台式机上查看“设计与开发”部分。

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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