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CSD18514Q5A

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采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 40 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 4.9 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 7.9 VGSTH typ (typ) (V) 1.8 QG (typ) (nC) 29 QGD (typ) (nC) 5 QGS (typ) (nC) 6 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 89 ID - package limited (A) 50 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
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  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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* 数据表 CSD18514Q5A 40V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2017年 3月 6日
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设计和开发

请在台式机上查看“设计与开发”部分。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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